四川快乐12走势图

当前位置:新闻资讯 > 浅述扩散硅传感器的制作原理 四川快乐12走势图

浅述扩散硅传感器的制作原理

点击次数:18次  发布时间:2020-02-19
  当今世界是一个信息世界,信息技术的三大基础是信息采集、传输和技术处理。而这些部件的核心部分是传感元件。它是换能器的一种,是用于检测过程控制系统的变量,并将其转换为便于自动处理的信息形式的器件,具有检测、转换、传输信息的功能。
  传感元件的种类很多,而扩散硅应变元件是一种用于扩散硅传感器核心部分的传感元件。该元件采用集成电路的扩散工艺,把硼杂质掺入硅片而形成压敏电桥制成的。利用硅材料制作的半导体传感器件除具有固体传感器的一般优点外,还可以把一些集成电路与传感器制作在一起,构成集成化传感器,集成部分若作成微处理机,则形成扩散硅传感器。
  扩散硅传感器的原理是在硅材料沿某一晶向施加一定的压力时,使它们之间的能带形状发生变化,引起单晶体电导率的改变。其变化值与所加的应力大小和方向有着一定的关系。扩散硅应变元件就是利用压阻效应制成的。
  当被测介质的压力作用于传感器的膜片上时,膜片产生与扩散硅无腔压力传感器介质压力成正比的微位移,使传感器内部的电阻条阻值产生变化。传感器电路得到恒流激励后会将这一变化转换成与这一压力对应的标准测量信号。
  从产品的安全角度考虑,一般扩散硅传感器选择工作压力值在标准量程值的60%-80%为宜,整个测量系统中可能出现的异常情况所导致的过载压力不得超过产品允许的载量。测量动态管路液体压力时,还应考虑水垂效应,适当增大产品载量。
  以上就是小编今天为大家带来的全部内容了,希望能够对您有所帮助。
上一篇:没有了    下一篇:为您介绍那些关于扩散硅传感器的知识
QQ在线客服
电话咨询
  • 18092356839